Компания UMC объявила о значительном достижении в освоении технологии, предназначенной для производства полупроводниковых изделий с применением материалов с высоким значением диэлектрической постоянной и металлических затворов high-k/metal-gate (HK/MG). По словам компании, успешно прошел проверку соответствующий техпроцесс выпуска памяти типа SRAM по нормам 45 нм. Этот шаг является ключевым в демонстрации работоспособности технологии HK/MG, которую

UMC будет использовать в техпроцессах будущего поколения, рассчитанных на применение норм 32 и 28 нм.

В октябре UMC выпустила первые в отрасли 28-нанометровые чипы памяти SRAM. Для их изготовления была задействована модификация техпроцесса, характеризующаяся малыми токами утечки, основанная на использовании напряженного кремния и иммерсионной литографии с двойным шаблонированием.

Как известно, компания планирует использовать в техпроцессах для изготовления чипов по нормам 32/28 нм два принципиально разных подхода. Один из них будет оптимизирован по критерию энергопотребления и хорошо подойдет для портативных приложений, например, для мобильных потребительских процессоров. Во втором варианте предполагается использование материалов с высоким значением диэлектрической постоянной и металлических затворов. Он больше подходит для высокопроизводительных микросхем, например, графических процессоров. Впрочем, как заверяет компания, технологию HK/MG по желанию заказчика также можно оптимизировать по критерию энергопотребления.