По сообщению компании Samsung Electronics, в сотрудничестве с Sun Microsystems она намерена создать новую флэш-память типа SLC NAND, предназначенную для использования в твердотельных накопителях. Особенностью памяти должна стать более высокая износостойкость, чем у образцов, представленных на рынке.

Увеличенное по сравнению с обычной памятью SLC NAND в пять раз количество циклов записи и стирания информации позволит использовать новую память

в SSD для серверов. Как ожидается, разработка обеспечит максимальную надежность ответственным системам (к которым предъявляется требование безотказного функционирования в течение всего времени выполнения целевой задачи), работающим в режиме 24/7.

Специалисты Samsung и Sun Microsystems работают над серверной флэш-памятью уже несколько месяцев. Результатом работы должен стать чип плотностью 8 Гбит.

Как утверждается, новая память SLC NAND обеспечит 100-кратное преимущество над винчестерами по показателю количества операций ввода-вывода (I/OPS) в расчете на единицу потребляемой мощности. Этот показатель имеет особое значение с учетом области применения серверных SSD — снижение энергопотребления упрощает требования к системам охлаждения ВЦ.

По оценке IDC, глобальный спрос на SSD в корпоративном секторе к 2012 году достигнет 2,24 млн. единиц.