Как известно, флэш-память типа NAND дешевле, чем флэш-память типа NOR. Однако в некоторых случаях воспользоваться этим преимуществом не удается. Например, до недавнего времени разработчики встраиваемой электроники, используя в своих проектах флэш-память с последовательным интерфейсом, могли выбирать только среди компонентов типа NOR.

Выпуском новой линии продуктов компания Micron Technology изменила ситуацию. Микросхемы флэш-памяти типа NAND

плотностью 1 Гбит, пополнившие ассортимент компании, оснащены последовательным интерфейсом. Они дешевле аналогичных изделий, в которых используется память типа NOR, и открывают перед конструкторами простой и экономичный способ наращивания объема встроенной памяти. По оценке самой компании, новая память имеет самый лучший показатель удельной стоимости в расчет на единицу объема среди продуктов своего класса, представленных на рынке.

Увеличения объема встроенной памяти требует рост популярности приложений, связанных с хранением и обработкой больших объемов данных. Ушли в прошлое времена, когда устройства с поддержкой беспроводного подключения, абонентские приставки, принтеры и другие устройства бытовой, промышленной и автомобильной электроники обходились минимальной функциональностью. Сейчас они работают под управлением более сложных операционных систем и поддерживают мультимедийные функции, что требует большего объема памяти.

Важным достоинством новой памяти производитель называет совместимость с памятью, имеющей параллельный интерфейс, на уровне корпусов, что упрощает перевод разработок с одного типа памяти на другой.

Интересно, что скорость записи, обеспечиваемая новой памятью (2,64 МБ/с), по словам Micron, превышает показатель аналогичной памяти типа NOR, не превышающий 0,5 МБ/с.

Сейчас доступны ознакомительные образы микросхем плотностью 1 Гбит. Серийные поставки должны начаться в первом квартале будущего года. В начале года Micron также обещает представить аналогичные микросхемы плотностью 4 Гбит.