Японская компания Elpida Memory сообщила о разработке первой в мире памяти DDR3 SDRAM плотностью 1 Гбит с пропускной способностью 2,5 Гбит/с. В чипе используются медные соединения и другие нововведения, которые не только позволили существенно поднять быстродействие, но и понизить напряжение питания до 1,2 В.

Примечательно, что новая память может работать и при стандартизованном в спецификации DDR3 напряжении 1,5 А. а также при напряжении 1,35

В. При напряжении 1,5 В пропускная способность составляет 2,5 Гбит/с, при напряжении 1,2 В — 1,8 Гбит/с, что существенно превосходит стандартное отраслевое значение 1,6 Гбит/с при напряжении 1,5 В.

В относительном выражении, новая память на 25% быстрее, чем продукты с алюминиевыми внутренними соединениями. Кроме того, потребляемая мощность новой памяти на 22% меньше.

Память предназначены для высокопроизводительных серверов и ПК. Поставки ознакомительных образцов должны начаться в этом месяце. В будущем Elpida панирует перевести новую память на более тонкие нормы техпроцесса, за счет чего дополнительно повысить ее быстродействие и уменьшить энергопотребление.