В последнее время о Rambus было слышно только то, как решались её споры в судах с NVIDIA, какие претензии ею предъявлялись к Qimonda AG и Infineon по условиям ранее подписанных соглашений и т.п., но как о разработчике чего-то нового слышно было мало.

На мероприятии Memory System Symposium, прошедшем на днях в Токио, технический директор Rambus, Стивен Ву (Steven Woo), поведал об успехах компании, инициативе Terabyte Bandwidth Initiative.

В рамках проекта ведутся исследования, направленные на то, чтобы получить беспрецедентную скорость работы памяти в 1 ТБ/с, которую специалисты компании хотят получить на участке SoC DRAM. Ожидается, что память с новыми характеристиками получит обозначение «XDR 2».

В целом, инициатива Terabyte Bandwidth Initiative направлена на получение более высоких скоростей работы памяти, которое в свою очередь, должны позволить поднять производительность любой системы, основанной на многоядерных решениях.

В основе Terabyte Bandwidth Initiative лежит архитектура Fully Differential Memory Architecture (FDMA), которая подразумевает использование технологии 32X Data Rate и 500-МГц линии связи FlexLink C|A (Command|Adress)для дифференциального сигнала, ранее не использованные технические приемы в памяти поколения XDR.

На практике 32X Data Rate должно означать скорость передачи информации в 16 Гбит/с. Господин Ву отметил в своей речи на симпозиуме, что подход, применяемый его компанией в деле разработки быстрой памяти XDR 2 примечателен тем, что годится для работы в условиях ограниченного числа контактов на системах SoC, а также подразумевает энергоэффективную работу памяти.

Коммерциализация памяти Rambus XDR 2, как ожидается, будет происходить в 2010 году. Благодаря этой памяти и технологии с 32 линиями связи для данных DRAM-чип сможет достичь пропускной способности в 51,2 ГБ/с. Это порядка 12,8 ГБ/с данных при использовании лишь пары линий связи с дифференциальным сигналом. Частота такой памяти составит лишь 800 МГц. Соответственно, для достижения скорости в 1 ТБ/с потребуется 16 чипов поколения XDR 2.